Toshiba ha anunciado que ha fabricado la primera memoria flash de 16 GB con una estructura de 48 capas tridimensionales. La tecnología que ha empleado en el proceso, llamada BiCS, permite agrupar la información almacenada en una serie de capas en lugar de en planos en dos dimensiones como los que se utilizan en la actual generación de chips.
La compañía japonesa ha explicado que está adaptando las instalaciones para fabricar semiconductores que posee en la planta Yokkaichi Operations con la intención de que se puedan utilizar a partir del 2016 para producir este tipo de memorias 3D.
Curiosamente, Intel ha dado a conocer también hoy que ha desarrollado, con la ayuda de Micron, una tecnología denominada 3D NAND que almacena los datos de manera similar en capas en tres dimensiones. La empresa estadounidense ha señalado que este avance va a permitir guardar más información, hacerlo a un coste más bajo, gastando menos energía y con una mayor velocidad.
Esta tecnología, señala Intel, se empleará para fabricar en el futuro discos SSD del tamaño de un lápiz de memoria con una capacidad de almacenameinto de 3,5 TB y discos SSD convencionales de 2,5 pulgadas que superarán los 10 TB.
Pero eso será más adelante: los primeros prototipos que ha producido son de sólo 32 GB y se espera que durante la primavera fabriquen unidades de 48 GB basadas en 3D NAND. Los primeros modelos comerciales, de una capacidad todavía por especificar, se pondrán a la venta a lo largo del año que viene.
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